Descripción
Transistores – Bipolar (BJT) – Arreglos 8 Darlington NPN 50V 500mA 1.47W Orificio pasante 18-DIP
Especificaciones
Tipo de transistor: 8 Darlington NPN
Corriente de colector (Ic) máx.: 500mA
Voltaje de interrupción – Colector-emisor (máx.): 50V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 1.6V a 500µA, 350mA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 1000 a 350mA, 2V
Potencia máxima: 1.47W
Temperatura de operación: -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: 18-DIP
Ficha Técnica_CDMEX-SC-THCI-0035 ULN2803AFWG_datasheet_en_20121126
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