SPP20N60CFD MOSFET CANAL N 55V 49A

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SKU: CDMEX-SC-THMO-0006 Categoría:
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Descripción

MOSFET Canal N Orificio pasante 650 V 20.7 A (Tc) 208W (Tc) PG-TO220-3-1

Especificaciones

Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650 V
Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC: 20.7 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs: 220mOhm a 13.1A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id: 5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs: 124 nC @ 10 V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 2400 pF @ 25 V
Disipación de potencia (Máx.): 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: PG-TO220-3-1
Paquete / Caja (carcasa): TO-220-3

Información adicional

Peso 0.0028 kg
Dimensiones 3.1 × 1.2 × 0.6 cm

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