Descripción
Transistor Bipolar (BJT) – Simple PNP 20V 2A 100MHz 540mW Montaje en superficie TO-236AB
Especificaciones
Tipo de transistor: PNP
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 2A
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 20V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 300mV a 300mA, 3A
Corriente – Corte de colector (Máx.): 100 nA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 200 a 1A, 2V
Potencia – Máx.: 540mW
Frecuencia – Transición: 100MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa): TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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