NDS332P MOSFET CANAL P -20V -1A

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SKU: CDMEX-SC-SMMO-0004 Categoría:
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Descripción

Canal P Montaje en superficie 20V 1 A (Ta) 500mW (Ta) SuperSOT-3

Especificaciones

Tipo FET Canal P
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 20V
Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC: 1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.7V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs: 300mOhm a 1.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id: 1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs: 5nC @ 4.5V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 195pF @ 10V
Disipación de potencia (Máx.): 500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa): TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Información adicional

Peso 0.00005 kg
Dimensiones 0.4 × 0.4 × 0.1 cm

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