IRF540N MOSFET CANAL N 100V 33A

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SKU: CDMEX-SC-THMO-0002 Categoría:
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Descripción

MOSFET Canal N Orificio pasante 100V 33 A (Tc) 130W (Tc) TO-220AB

 

Especificaciones

Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 100V
Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC: 33 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs: 44mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id: 4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs: 71nC @ 10V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 1960pF @ 25V
Disipación de potencia (Máx.): 130W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-220AB

 

Ficha Técnica_CDMEX-SC-THMO-0002 irf540npbf

Información adicional

Peso 0.00139 kg
Dimensiones 3 × 1.2 × 0.7 cm

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