IPP60R099CP MOSFET CANAL N 650V 31A TO-220

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SKU: CDMEX-SC-THMO-0005 Categoría:
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Descripción

Canal N Orificio pasante 650V 31 A (Tc) 255W (Tc) PG-TO220-3

Especificaciones

Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V
Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC: 31 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs: 99mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id: 3.5V a 1.2mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (máx.): ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 2800pF @ 100V
Disipación de potencia (Máx.): 255W (Tc)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa): TO-220-3

 

Ficha Técnica_ CDMEX-SC-THMO-0005

Información adicional

Peso 0.003 kg
Dimensiones 3.3 × 1.3 × 0.7 cm

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