BSH103,235 MOSFET CANAL N 30V 850mA

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SKU: CDMEX-SC-SMMO-0003 Categoría:
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Descripción

Canal N Montaje en superficie 30V 850mA (Ta) 540mW (Ta) TO-236AB

Especificaciones

Tipo FET: Canal N
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 30V
Corriente – consumo continuo (Id) a 25ºC: 850mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.): 2.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs: 400mOhm a 500mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id: 400mV a 1mA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.): ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds: 83pF @ 24V
Disipación de potencia (Máx.): 540mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-236AB
Paquete / Caja (carcasa): TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Información adicional

Peso 0.00005 kg
Dimensiones 0.4 × 0.4 × 0.1 cm

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