Descripción
Transistores – Bipolar (BJT) – Simple NPN 300V 500mA 50MHz 625mW Orificio pasante TO-92-3
Especificaciones
Tipo de transistor: NPN
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 500mA
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 300V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 500mV a 2mA, 20mA
Corriente – Corte de colector (Máx.): 100 nA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 40 a 30mA, 10V
Potencia – Máx.: 625mW
Frecuencia – Transición: 50MHz
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-92-3
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