Descripción
Transistores – Bipolar (BJT) – Simple NPN 30V 100mA 300MHz 500mW Orificio pasante TO-92-3
Especificaciones
Tipo de transistor: NPN
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 100mA
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 30V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 600mV a 5mA, 100mA
Corriente – Corte de colector (Máx.): 15 nA (ICBO)
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 110 a 2mA, 5V
Potencia – Máx. : 500mW
Frecuencia – Transición: 300MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-92-3
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