Descripción
Transistores – Bipolar (BJT) – Simple PNP 150V 600mA 400MHz 625mW Orificio pasante TO-92-3
Especificaciones
Tipo de transistor: PNP
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 600mA
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 150V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 500mV a 5mA, 50mA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 60 a 10mA, 5V
Potencia – Máx. : 625mW
Frecuencia – Transición: 400MHz
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-92-3
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