Descripción
Transistor Bipolar (BJT) – Simple PNP 40 V 600 mA 200MHz 625 mW Orificio pasante TO-92
Especificaciones
Tipo de transistor: PNP
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 600 mA
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 40 V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 750mV a 50mA, 500mA
Corriente – Corte de colector (Máx.): 100nA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 100 a 150mA, 2V
Potencia – Máx.: 625 mW
Frecuencia – Transición: 200MHz
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa): TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-92
Ficha Técnica_ CDMEX-SC-THTR-0011
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