Descripción
Transistores – Bipolar (BJT) – Simple NPN 40V 200mA 270MHz 625mW Orificio pasante TO-92-3
Especificaciones
Tipo de transistor: NPN
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 200mA
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 40V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 200mV a 5mA, 50mA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 100 a 10mA, 1V
Potencia – Máx.: 625mW
Frecuencia – Transición: 270MHz
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-92-3
Valoraciones
No hay valoraciones aún.