Descripción
Transistores – Bipolar (BJT) – Simple NPN 50V 800mA 500mW Orificio pasante TO-92-3
Especificaciones
Tipo de transistor: NPN
Corriente – Colector (Ic) (Máx.): 800mA
Voltaje – Ruptura de emisor colector (Máx.): 50V
Vce de saturación (máx.) a Ib, Ic: 1V a 50mA, 500mA
Corriente – Corte de colector (Máx.): 50nA
Ganancia de CC (hFE) (mín.) a Ic, Vce: 100 a 150mA, 10V
Potencia – Máx. : 500mW
Temperatura de funcionamiento: -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje: Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor: TO-92-3
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